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NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶體管是MRFX系列射頻 (RF) MOSFET晶體管,此系列器件采用了最新的LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)技術(shù)。MRFX1K80H運用LDMOS技術(shù)來(lái)提高寬頻應用的輸出功率,同時(shí)維持適當的輸出阻抗。
NXP MRFX1K80H LDMOS晶體管能在65V連續波時(shí)提供1800W功率,適用于1.8至470 MHz的射頻應用,并且能在所有相角下提供65:1的電壓駐波比 (VSWR)。此器件提供50Ω匹配阻抗,可縮短整體開(kāi)發(fā)時(shí)間。MRFX1K80H 設計用于30V到65V擴展級電源范圍,并具備高擊穿電壓特性,能增強可靠性,提升效率。這種耐高壓特性還可降低系統電流,從而限制直流電源上的應力并減少磁輻射。高輸出功率還能減少晶體管數,簡(jiǎn)化功率放大器復雜度,并降低整體成本。
MRFX1K80H適用于具有適當偏置的線(xiàn)性應用,并提供集成靜電放電 (ESD) 防護,改善C類(lèi)放大器運行性能。MRFX1K80H的目標應用包括工業(yè)、科學(xué)與醫療 (ISM) 應用以及廣播、航空航天與移動(dòng)無(wú)線(xiàn)電設備
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MRF同系列產(chǎn)品;
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